Gludedd
- Pan fydd gwrthrych yn symud, mae symudiad cymharol rhwng haenau hylif cyfagos, sy'n cynhyrchu ymwrthedd ffrithiannol rhwng y ddwy haen hylif,
a elwir yn rym viscous. Mae gludedd yn baramedr ffisegol a ddefnyddir i fesur maint grym gludiog. Mae ei werth yn cael ei bennu gan ffactorau megis
y math o sylwedd, tymheredd, a chrynodiad.
- Yr uned gludedd yw Pascal-ail (Pa·s).
-Mae gludedd y deunydd yn effeithio ar ei hylifedd a chyfeiriadedd o fewn y mowld, sy'n effeithio'n sylweddol ar ymddangosiad y cynnyrch. Yn enwedig
mewn ardaloedd megis parthau marw neu rannau crwm o'r mowld, mae'n dueddol o achosi caethiwed aer a halltu gwael.
Caledwch
- Mynegir caledwch rwber silicon mewn caledwch Shore, a elwir hefyd yn galedwch Shore A, sy'n nodi ymwrthedd gwrthrych siâp penodedig i indentation o dan lwyth penodedig. Mae graddfa caledwch y Traeth A yn amrywio o 0 i 100, gyda 0 y gwerth isaf a 100 yw'r uchaf.
- Yn nodweddiadol mae gan silicon ystod caledwch Shore o 10 i 80. Trwy gymysgu swbstradau polymer, llenwyr ac ychwanegion mewn gwahanol gyfrannau, gellir cyflawni gwerthoedd caledwch canolradd amrywiol. Yn yr un modd, gall amser a thymheredd halltu gwres hefyd newid y caledwch heb gyfaddawdu ar nodweddion corfforol eraill.
- Profwr caledwch y lan: gan gynnwys Shore A, Shore D, a Shore 00. Amrediad profi manwl gywir profwr caledwch Shore A yw 10~90. Pan fydd Shore A<10, it is necessary to switch to Shore 00 for testing. When Shore A>90, mae angen newid i Shore D ar gyfer profi.
Disgyrchiant Penodol
- Disgyrchiant penodol, a elwir hefyd yn ddwysedd cymharol, yw cymhareb dwysedd sylwedd (mewn cyflwr cwbl drwchus) i ddwysedd H2O pur ar 3.98 gradd o dan bwysau atmosfferig safonol (999.972 kg/m3).
- Mae disgyrchiant penodol yn swm di-dimensiwn, sy'n golygu ei fod yn werth heb unedau, ac yn gyffredinol mae'n amrywio yn ôl tymheredd a gwasgedd.
- Mae dwysedd gel silica yn gyffredinol uwch na dŵr, yn bennaf yn dibynnu ar y llenwad o gel silica
Cryfder Tynnol
- Mae cryfder tynnol, a elwir hefyd yn gryfder tynnol, yn cyfeirio at y grym sydd ei angen fesul ardal uned i achosi i sampl deunydd silicon rwygo.
- Yr uned cryfder tynnol yw Newton fesul centimedr sgwâr (N/cm2) neu Pascal (Pa).
- Mae ystod cryfder tynnol cyffredinol rwber silicon solet rhwng 4.0 a 12.5 MPa.
- Mae ystod cryfder tynnol cyffredinol rwber fflworosilicone rhwng 8.7 a 12.1 MPa.
- Mae ystod cryfder tynnol cyffredinol rwber silicon hylif rhwng 3.6 a 11.0 MPa
Elongation at Break
- Mae ymestyniad adeg egwyl yn cyfeirio at y cynnydd canrannol yn hyd gwreiddiol sampl pan fydd yn torri.
- Gall gwahanol ddulliau prosesu a dewisiadau o galedwyr newid ei gyfradd ymestyn yn sylweddol. Mae cyfradd elongation silicon yn perthyn yn agos i dymheredd.
- Cyfradd elongation gyffredinol silicon solet yw rhwng 90% a 1120%.
- Mae'r gyfradd elongation gyffredinol o rwber fflworosilicone rhwng 159% a 699%.
- Cyfradd ehangu cyffredinol rwber silicon hylif yw rhwng 220% a 900%
Cryfder rhwyg
- Mae cryfder rhwyg yn cyfeirio at wrthwynebiad i ehangu toriadau neu niciau pan roddir grym ar sampl â rhicyn.
- Amrediad cryfder rhwygiad nodweddiadol rwber silicon solet yw rhwng 9 a 55 kN/m.
- Amrediad cryfder rhwygiad cyffredinol rwber fflworosilicon yw rhwng 17.5 a 46.4 kN/m.
- Mae cryfder rhwygiad rwber silicon hylif yn gyffredinol yn amrywio o 11.5 i 52 kN/m.
Crebachu llinellol
- Mae crebachu llinol yn cyfeirio at y gwall canrannol rhwng dimensiynau cynnyrch silicon ar ôl ei halltu a'i ddymchwel a dimensiynau'r
llwydni gwreiddiol.
Elastigedd adlam
- Mae gwytnwch yn cyfeirio at allu gwrthrych i ddychwelyd yn gyflym i'w siâp gwreiddiol ar ôl tynnu'r grym allanol sy'n achosi anffurfiad. Mae'n nodweddiadol
wedi'i fesur fel cymhareb egni allbwn sbesimen dan straen yn ystod adferiad cyflym ar ôl tynnu straen i'r egni mewnbwn sydd ei angen i straenio'r
sbesimen.
- Mae gwytnwch yn fodd o nodweddu maint anffurfiad elastig y gellir ei adennill mewn rwber silicon o dan straen. Y rhyngweithio rhwng
mae moleciwlau rwber silicon yn rhwystro symudiad segmentau moleciwlaidd. Defnyddir rhan o'r grym sy'n gweithredu ar y moleciwlau rwber silicon i oresgyn
y gwrthiant gludiog rhwng moleciwlau, tra bod y rhan arall yn dadffurfio'r cadwyni moleciwlaidd. Mae'r ddwy gydran hyn yn gyfystyr â viscoelasticity
rwber silicon. Felly, mae rwber silicon yn arddangos elastigedd uchel a gludedd.
- Ffactorau sy'n effeithio ar wytnwch rwber silicon:
--Rwber silicon gydag elongation uchel, dadffurfiad parhaol isel, ac elastigedd da.
-- Mae rwber silicon â phwysau moleciwlaidd uchel yn arddangos elastigedd da.
-- Mae gan rwber silicon sydd â dosbarthiad pwysau moleciwlaidd cul hefyd elastigedd da.
-- Mae silicon gyda hyblygrwydd da yn ei gadwyn moleciwlaidd yn arddangos elastigedd rhagorol.
--Fodd bynnag, gall y grymoedd rhyngfoleciwlaidd cryf leihau ei hydwythedd rhywfaint
Cyfradd anffurfiad cywasgu, Set Cywasgu
- Mae'r gyfradd anffurfio cywasgu yn cyfeirio at faint o anffurfiad parhaol sy'n digwydd pan fydd defnydd yn cael ei gywasgu i siâp penodol ar a
tymheredd penodol a'i gynnal am gyfnod penodol o amser.
- Mae'r gymhareb set cywasgu yn cynrychioli'r ganran o sampl deunydd sy'n methu â dychwelyd i'w uchder gwreiddiol. Er enghraifft, cywasgiad o 40%.
mae cymhareb set yn nodi mai dim ond 60% o'i drwch cywasgedig y mae'r sampl wedi'i adennill. Mae set cywasgu 100% yn nodi dim adferiad o gwbl, sy'n golygu
mae'r sampl yn parhau yn ei gyflwr cywasgedig.
- Mae maint anffurfiad cywasgu yn cael ei reoli'n bennaf gan allu adfer rwber silicon, sy'n cael ei ddylanwadu gan ffactorau megis y
grymoedd rhyngfoleciwlaidd, newidiadau neu amhariadau yn strwythur y rhwydwaith, a dadleoliadau rhyngfoleciwlaidd.
- Po isaf yw'r gyfradd anffurfio cywasgu, y gorau yw'r gwydnwch a'r cryfaf yw'r ymwrthedd i ddadffurfiad y deunydd.
